半导体加工工艺,本🊩💽质上就是一个🄽在☝⛼☌硅晶圆上,不断曝光,蚀刻的过程。

    而这个工艺的提升的过程,就是曝光时所用的底🖌👍片图🜮🅞🜮🅞案,不断进行增密的一个过程。

    在大家的传统印象里,底片的增密,就是底片精度🇅🖎👝的提高过程。增密底🟋🛨片图案,除了提高光刻机精度,就没有别的办♯🋹🞏法了吗

    在我们的日常生活当中,有个不恰当的例子🍥🊍,那就是套色印刷或💈🏸者是彩色打印。

    三色💸🖨墨水,每个打印的精度🕐🈮都是相同的,但是三🖌👍色重合打印,单色就变成了彩色

    颜色的精度🈛⚭🔫,就从单色的8位,📲上升到了256位

    在2005年之后,🊩💽由于工艺制程的提升,最小可分辨特征尺寸💈🏸已经远远小于光源波长,利🞰🗵☔用duv光刻机已经无法一次刻蚀成型。

    既然无法一🈛⚭🔫次刻蚀成型🐏⚝💖,那就多刻蚀几次,每一次刻蚀一部分🈋,然后拼凑成最终图案。

    从每个部🃋分图形的加工过程来说,用的都是原有的加工方法和设备,但它可🗗🛰以实现🁿更高精度的芯片加工。

    它就是多重图案化技术

    多重图案法🈛⚭🔫就是将一个图形,分离成两个或者三个部分🐻。每个部分按照通常的制程方法进行制作。整个图形最后再合并形成最终的图层。

    按照这个理论,图形🊩💽🊩💽精度简直可以无限分割下去。🇅🖎👝

    但实际上,这个方案也有它的局限。

    光刻机🅚🇃,做到了极限,是因为光📲**☝⛼☌长的缘故。

    图案分割,做到最后,也会有这个问题。

    当光罩上图形线宽尺寸接近光源波长时,衍射将会十分明🏷🞭显。

    光刻机内部光路对于光线的俘获能力是有限的,如果没有足够的能量到🟋🛨达光刻胶上,光刻胶将无法充分反应,使得其尺寸和厚度不能达到要求。

    在后续的显影、🛤刻蚀工艺中起不到应有🌹🄁的作用,导致工艺的失败。

    所以用这个方法,步进到7n,就做不下去了。因为🜮🅞从原理上就出现了问题。⚌🏿

    7n之后,必须使用euv光刻机,那个对中国禁运🜮🅞的光刻机,就是这🟋🛨个道理。

    在这个阶段🈛⚭🔫,它还不是个问题。阻碍晶圆工艺进步的主要原因,来自生产设备,工艺,而不是原理。

    任何事情都有利有弊。